晶體管特性圖示儀產(chǎn)品及廠家
泰克371a晶體管圖示儀；交互式可編程控制；自動(dòng)光標(biāo)測(cè)量；掃描測(cè)量模式
更新時(shí)間:2025-01-06
sti5000c/sti5300c晶體管圖示儀；進(jìn)口大功率高精度晶體管圖示儀，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體分立器件封裝測(cè)試，制造企業(yè)的半導(dǎo)體器件分立來料檢驗(yàn)，半導(dǎo)體失效分析實(shí)驗(yàn)，高等院校和研究所教學(xué)科研等。
更新時(shí)間:2025-01-06
itc75100 晶體管圖示儀；itc75100 是一種增強(qiáng)的未夾式電感負(fù)載 （uil） 測(cè)試系統(tǒng)，它基于 itc 行業(yè)先的 itc55 系列測(cè)試儀的成功，增加了額外的測(cè)試和測(cè)量能力。
更新時(shí)間:2025-01-06
泰克370b晶體管圖示儀；大電流-控制設(shè)置為200 ma時(shí)，step amplitude設(shè)置為20x，step amplitude設(shè)置為10x。
更新時(shí)間:2025-01-06
sti5000c/sti5300c晶體管圖示儀；進(jìn)口大功率高精度晶體管圖示儀，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體分立器件封裝測(cè)試，制造企業(yè)的半導(dǎo)體器件分立來料檢驗(yàn)，半導(dǎo)體失效分析實(shí)驗(yàn)，高等院校和研究所教學(xué)科研等。
更新時(shí)間:2025-01-06
泰克370b晶體管圖示儀；大電流-控制設(shè)置為200 ma時(shí)，step amplitude設(shè)置為20x，step amplitude設(shè)置為10x。
更新時(shí)間:2025-01-06
itc55100 半導(dǎo)體測(cè)試儀；itc55100c 型號(hào)是新一代的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)系列 itc55100 測(cè)試儀。該系統(tǒng)是圍繞一個(gè)非常強(qiáng)大的微控制器設(shè)計(jì)的，它的時(shí)序分辨率為40ns，比代型號(hào)快20倍。
更新時(shí)間:2025-01-06
南京頌儒儀器設(shè)備有限公司大量供應(yīng) 日本flow-cell流量計(jì)nflt-rflt-h型 fly-h型 flw-m型 flg型flt-hab型 nflt-r型 nfly-rc型 nfly-r型fdt-n型 fdy-n型 fdg-nc型dnt-s型 dny-s型 dng-s型 dig-s型
更新時(shí)間:2025-01-06
名稱： 酸開封機(jī) 型號(hào)： rkd elite etch 品牌： rkd 名稱： 酸開封機(jī) 用途： 對(duì)器件進(jìn)行開帽，decap
更新時(shí)間:2025-01-03
品牌： 華科智源 名稱： 晶體管圖示儀 型號(hào)： hustec-dc-2020 用途： 測(cè)試二三管，mos管，igbt，晶閘管，可控硅等
更新時(shí)間:2025-01-03
華科智源-二管浪涌電流測(cè)試儀，可測(cè)試二管，mos，igbt，以及sic器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌電流根據(jù)具體需求可選擇800a,1200a,3000a以及定制8000a以上，大電流可達(dá)50ka;品牌： 華科智源名稱： 浪涌電流測(cè)試儀型號(hào)： hustec-ifsm-1200a
更新時(shí)間:2025-01-03
華科智源-iol間歇壽命測(cè)試系統(tǒng)，測(cè)試各種封裝的mosfet、igbt、三管、diode（小電流器件）進(jìn)行連續(xù)工作壽命和間歇工作壽命試驗(yàn)。間歇工作壽命試驗(yàn)利用芯片的反復(fù)開啟和關(guān)閉引起的反復(fù)高溫和低溫，加速芯片內(nèi)各種組件材料和結(jié)合面的熱機(jī)械應(yīng)力，驗(yàn)證封裝、內(nèi)部
更新時(shí)間:2025-01-03
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀升級(jí)擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可提高電壓電流，和增加測(cè)試品種范圍。支持電壓電流階梯升級(jí)至2000v,1250a;采用脈沖測(cè)試法，脈沖寬度為美軍標(biāo)規(guī)定的300us.
更新時(shí)間:2025-01-03
功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)適合各大研究所做元器件檢驗(yàn)以及在線開發(fā)器件做生產(chǎn)測(cè)試。系統(tǒng)可擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可以提高電壓、電流的測(cè)試能力和增加測(cè)試品種范圍。自動(dòng)快速測(cè)試可以滿足用戶大生產(chǎn)需要，故障率低也保證了用戶的生產(chǎn)效率。
更新時(shí)間:2025-01-03
igbt功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀主機(jī)可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測(cè)量測(cè)試，包括對(duì)半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極晶體管（igbt），功率mosfet，二極管，雙極型器件的測(cè)試頭。主機(jī)包括所有測(cè)試設(shè)備和必要的軟件分析，可執(zhí)行電阻和電感的開關(guān)時(shí)間，開關(guān)損耗，柵極電荷，trr /的qrr和其他瞬態(tài)測(cè)試。
更新時(shí)間:2025-01-03
臺(tái)式桌面型smt首件檢測(cè)儀系統(tǒng)將bom，坐標(biāo)及圖紙進(jìn)行完美核對(duì)，實(shí)時(shí)顯示檢測(cè)情況，避免漏檢，可方便根據(jù)誤差范圍 對(duì)元件值合格值自動(dòng)判定，對(duì)多貼，錯(cuò)料，極性和封裝進(jìn)行方便檢查；傳統(tǒng)方式完全依靠人員把關(guān)，容 易出錯(cuò)。
更新時(shí)間:2025-01-03
功率循環(huán)測(cè)試儀系統(tǒng)該系統(tǒng)是一套動(dòng)態(tài)綜合測(cè)試系統(tǒng)、測(cè)試參數(shù)多、精度高、 具有過流、過熱、水壓不足等保護(hù)功能。具有連續(xù)工作的特點(diǎn)，測(cè)試程序由計(jì)算機(jī)控制，程序設(shè)定完成后可自動(dòng)測(cè)試， 系統(tǒng)采用內(nèi)控和外控兩種方式。便于工作人員操作。
更新時(shí)間:2025-01-03
雪崩能量測(cè)試儀廠家itc55100雪崩能量測(cè)試儀是原成功產(chǎn)品itc5510的升級(jí)版本，它能執(zhí)行itc5510系列的所有測(cè)試，同時(shí)增加了許多功能，如提高測(cè)試精度，測(cè)試結(jié)果的收集，查看測(cè)試結(jié)果，連接多個(gè)被測(cè)品。itc55100可以用來對(duì)功率mosfet和igbt的耐用性測(cè)試。 它還能測(cè)試單，雙二極管，使用itc55 rsf輸出選擇器盒還可以測(cè)量igbt的正向和反向偏置。
更新時(shí)間:2025-01-03
源表搭建四探針法測(cè)量半導(dǎo)體電阻率實(shí)驗(yàn)找普賽斯儀表，武漢普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度源表（smu），可以在輸出電流時(shí)測(cè)試電壓，也可以在輸出電壓時(shí)測(cè)試電流。輸出電流范圍從皮安到安培可控，測(cè)量電壓分辨率 高達(dá)微伏。支持四線開爾文模式，適用于四探針測(cè)試，可以簡(jiǎn)化測(cè)試連接，得到z確的測(cè)試結(jié)果。
更新時(shí)間:2025-01-02
數(shù)字源表搭建半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管iv特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)的主要目的是通過實(shí)驗(yàn)幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本 i-v 特性參數(shù)，并在整個(gè)工藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。在半導(dǎo)體制程的多個(gè)階段都有應(yīng)用，如金屬互連，鍍層階段，芯片封裝后的測(cè)試等。
更新時(shí)間:2025-01-02
p系列0-10a脈沖式數(shù)字源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，z大脈沖輸出電流達(dá)10a，z大輸出電壓達(dá)300v，支持四象限工作
更新時(shí)間:2025-01-02
脈沖iv測(cè)試儀是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，z大脈沖輸出電流達(dá)10a，z大輸出電壓達(dá)300v，支持四象限工作
更新時(shí)間:2025-01-02
微弱電流電壓數(shù)字源表集合電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載的功能于一身，廣泛用于各類精密器件的測(cè)量。支持四象限工作，可作為源或負(fù)載
更新時(shí)間:2025-01-02
武漢普賽斯對(duì)標(biāo)2400國產(chǎn)數(shù)字源表s300型，特別適用于精密電壓源和電流源驅(qū)動(dòng)，且同時(shí)進(jìn)行電流與電壓測(cè)量的測(cè)試應(yīng)用。所有源表皆提供精密的電壓和電流源測(cè)量能力。每個(gè)源表均由一個(gè)高穩(wěn)定的直流源和一個(gè)真儀器的5位半多功能表組成。
更新時(shí)間:2025-01-02
普賽斯雙性源測(cè)數(shù)字源表自主研發(fā)生產(chǎn)，對(duì)標(biāo)美國2400，b2901；可實(shí)現(xiàn)“源”的輸出和“表”的測(cè)量同步進(jìn)行，提高測(cè)試效率；支持四象限工作，測(cè)量范圍廣，電壓高300v，電流低至100pa；支持usb存儲(chǔ)
更新時(shí)間:2025-01-02
spa-6100半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)cv+iv曲線掃描儀可以幫助用戶根據(jù)測(cè)試需要，靈活選配測(cè)量單元進(jìn)行升。產(chǎn)品支持z高1200v電壓、100a大電流、1pa小電流分辨率的測(cè)量，同時(shí)檢測(cè)10khz至1mhz范圍內(nèi)的多頻ac電容測(cè)量
更新時(shí)間:2025-01-02
阻值測(cè)試本質(zhì)上是fimv（加電流測(cè)電壓）或fvmi（加電壓測(cè)電流），獲取iv曲線后計(jì)算阻值。數(shù)字源表應(yīng)用之氣敏電阻iv測(cè)試的更多信息找普賽斯儀表員為您解答
更新時(shí)間:2025-01-02
武漢普賽斯半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀之?dāng)?shù)字源表，特別適用于精密電壓源和電流源驅(qū)動(dòng)，且同時(shí)進(jìn)行電流與電壓測(cè)量的測(cè)試應(yīng)用。所有源表皆提供精密的電壓和電流源測(cè)量能力。每個(gè)源表均由一個(gè)高穩(wěn)定的直流源和一個(gè)真儀器的5位半多功能表組成。該電源特性包括：低噪聲，高精度和回讀功能。萬用表功能包括高重復(fù)性和低噪音。其結(jié)果
更新時(shí)間:2025-01-02
半導(dǎo)體i-v特性曲線分析儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，廠家直銷、服務(wù)完善！普賽斯s型源表國產(chǎn)自主研發(fā)，單通道，不支持脈沖輸出，觸摸屏操作，支持多種通訊方式，rs-232、gpib及以太網(wǎng)；z大輸出電壓達(dá)300v，小電流分辨率10pa，支持usb存儲(chǔ)
更新時(shí)間:2025-01-02
半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，國產(chǎn)自主研發(fā)，廠家直銷！性價(jià)比高，測(cè)試范圍更廣，輸出電壓高達(dá)300v，支持usb存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出報(bào)告，符合大環(huán)境下國內(nèi)技術(shù)自給的需求，可及時(shí)與客戶溝通，為客戶提供高性價(jià)比系統(tǒng)解決方案，及時(shí)指導(dǎo)客戶編程，加速測(cè)試系統(tǒng)開發(fā)
更新時(shí)間:2025-01-02
p系列分辨率1pa國產(chǎn)數(shù)字源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，z大脈沖輸出電流達(dá)10a，z大輸出電壓達(dá)300v，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。p系列源表適用于各行各業(yè)使用者，特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機(jī)半導(dǎo)體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。
更新時(shí)間:2025-01-02
激光二管liv特性測(cè)試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，普賽斯開發(fā)的liv 測(cè)試系統(tǒng)采用 國產(chǎn) s 型數(shù)字源表 為核心，結(jié)合測(cè)試軟件以及第三方設(shè)備積分球探測(cè)器完成 ld 的 liv 測(cè)試。系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、精度高、k靠性好、速度快，提高生產(chǎn)效率的同時(shí)也增加了測(cè)試精度和k靠性，并且降低了測(cè)試成本。
更新時(shí)間:2025-01-02
普賽斯儀表太陽能電池放電掃描曲線儀可對(duì)每個(gè)電池單元獨(dú)立或順序iv特性測(cè)試，顯示iv特性曲線和isc, voc, pmax, ff, η和電池表面溫度等參數(shù)，每個(gè)電池單元測(cè)試結(jié)果可以保存在一個(gè)excel文件中，可進(jìn)行對(duì)電池表面均勻性分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。
更新時(shí)間:2025-01-02
數(shù)字源表iv掃描光伏電池板認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯的測(cè)試方案通過自主研發(fā)的軟件可對(duì)每個(gè)電池單元獨(dú)立或順序iv特性測(cè)試，顯示iv特性曲線和isc, voc, pmax, ff, η和電池表面溫度等參數(shù)，每個(gè)電池單元測(cè)試結(jié)果可以保存在一個(gè)excel文件中，可進(jìn)行對(duì)電池表面均勻性分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。
更新時(shí)間:2025-01-02
數(shù)字源表搭建集成電路實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的目的：通過實(shí)驗(yàn)動(dòng)手操作，加深對(duì)半導(dǎo)體物理理論知識(shí)的理解，掌握半導(dǎo)體材料和不同器件性能的表征方法及基本實(shí)驗(yàn)技能，培養(yǎng)分析問題和解決問題的能力。
更新時(shí)間:2025-01-02
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