光學(xué)平臺產(chǎn)品及廠家
英國hhv auto 306 科研工作者和電子顯微學(xué)家的多功能鍍膜設(shè)備，是一種多功能的緊湊型鍍膜設(shè)備，設(shè)計用于滿足科研工作者和電子顯微學(xué)家的需求。auto306可配備各種真空系統(tǒng)、真空腔室和標準化工藝附件，提供一系列實驗技術(shù)以滿足現(xiàn)代化實驗室的需要。
更新時間:2025-01-03
tf500/tf600 適合先進研發(fā)和試生產(chǎn)的全功能系統(tǒng)，系統(tǒng)配置可選擇多種腔室尺寸和工藝附件，以精確的符合用戶需求。這兩個型號的系統(tǒng)都可以安裝多個鍍膜源，也都支持離子束處理選項。有一系列預(yù)進樣室（load lock）和樣品操縱裝置可供選擇，以提高真空鍍膜效率。
更新時間:2025-01-03
ion 100wb-40q 德國 pva tepla 等離子去膠機，最新推出的具有高性價比的真空等離子去膠設(shè)備，配備了一個圓筒石英腔，特別適用于半導(dǎo)體、led、mems等領(lǐng)域的光刻膠灰化、打殘膠、氮化物刻蝕、表面清潔等應(yīng)用的批次處理。
更新時間:2025-01-03
兩種型號的2000型曝光系統(tǒng)包括uv光源，強度控制電源和機器人襯底處理子系統(tǒng)。 uv光源提供發(fā)散半角<2.0％的可調(diào)強度光束。電源從200w到2,000w。強度控制器傳感器直接連接到光源，用于精確的強度監(jiān)控。機器人襯底處理系統(tǒng)是微處理器控制的，并且可以被編程以適應(yīng)各種各樣的襯底尺寸。
更新時間:2025-01-03
oai 5000e型大面積掩光刻機是一種先進的高性能，全自動掩模對準器和曝光工具，可為大型平板應(yīng)用提供超精密，頂，亞微米對準和分辨率。 其靈活的設(shè)計允許在各種基材（圓形或方形）上印刷高達300mm或20“×20”。 曝光系統(tǒng)兼容近，中，或深紫外范圍的光刻膠，并具有計算機控制的led顯微鏡照明，在不太理想的觀察環(huán)境中觀察。
更新時間:2025-01-03
phabler 100 紫外光刻機是一套低成本的光學(xué)曝光系統(tǒng)，但卻能獲得高分辨率的周期性結(jié)構(gòu)。同傳統(tǒng)的紫外曝光機類似，涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術(shù)，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵（六角形和正方形），且曝光結(jié)果非常均勻，質(zhì)量很好。
更新時間:2025-01-03
raith 150 two可實現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對實驗室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運行。
更新時間:2025-01-03
raith 150 two可實現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對實驗室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運行。
更新時間:2025-01-03
德國raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機,系統(tǒng)可實現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關(guān)鍵的指標，可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩，即使在稍差的實驗室環(huán)境下，仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性，提高系統(tǒng)對外界環(huán)境的容忍度。
更新時間:2025-01-03
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺設(shè)計，對電子束直寫應(yīng)用進行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時間:2025-01-03
系統(tǒng)中集成了高精度的激光干涉工作臺，運動行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實現(xiàn)精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時間:2025-01-03
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機 fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導(dǎo)體，tft-lcd，微電子等行業(yè)。
更新時間:2025-01-03
minilock-phantom iii 具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，為實驗室和試制線生產(chǎn)環(huán)境提供最先進的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統(tǒng)有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。
更新時間:2025-01-03
oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機和最多四個工藝反應(yīng)室構(gòu)成。這些工藝反應(yīng)室與中央負載鎖對接，既能夠以生產(chǎn)模式運行，也能夠作為單個系統(tǒng)獨立作業(yè)。 oracle iii是市場上最靈活的系統(tǒng)，既可以為實驗室環(huán)境進行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產(chǎn)進行配置(使用真空盒升降機進行基片傳送)。
更新時間:2025-01-03
titan是一套用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的十分緊湊、全自動化、帶預(yù)真空室的等離子系統(tǒng)。titan具有反應(yīng)離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強型化學(xué)汽相沉積(pecvd)配置。可對單個基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。
更新時間:2025-01-03
美國trion orion iii pecvd 薄膜沉積系統(tǒng)可以在緊湊的平臺上生產(chǎn)高品質(zhì)的薄膜。獨特的反應(yīng)器設(shè)計可以在在極低的功率生產(chǎn)具有優(yōu)異臺階覆蓋的低應(yīng)力薄膜。該系統(tǒng)可以滿足實驗室和中試生產(chǎn)環(huán)境中的所有安全，設(shè)施和工藝標準要求。
更新時間:2025-01-03
orion hdcvd 高密度氣相化學(xué)沉積系統(tǒng)采用高密度的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在惰性氣體進入口安裝感應(yīng)線圈，周圍布置陶瓷管。射頻創(chuàng)建等離子體,通過氣體環(huán)在襯底表面附近引入揮發(fā)性氣體。當惰性氣體與揮發(fā)性物質(zhì)結(jié)合時，會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，然后在襯底表面沉積一層薄膜.
更新時間:2025-01-03
德zeiss sigma sem 電子束直寫儀,利用曝光抗蝕劑，采用電子束直接曝光，可在各種襯底材料表面直寫各種圖形，圖形結(jié)構(gòu)（小線寬為10mm），是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應(yīng)用于納米器件，光子晶體，低維半導(dǎo)體等沿域。
更新時間:2025-01-03
俄羅斯 optosystem 準分子激光器：cl7000, 準分子激光器是傳統(tǒng)的氣體激光器，由于波長短（紫外），短脈沖寬度，高脈沖能量，是激光器家族不可替代的品種！應(yīng)用上，準分子激光器在脈沖沉積鍍膜（pld），光纖光柵刻寫，lasik，光刻，微納加工等方面占主導(dǎo)的地位。
更新時間:2025-01-03
denton 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺,提供了薄膜工業(yè)中廣泛的配置和沉積模式:電子束蒸發(fā)、電阻蒸發(fā)、濺射、離子鍍和離子輔助沉積。
更新時間:2025-01-03
法plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機meb550sl3，可以用于沉積ti, ni, au, cr, al, al2o3等金屬及氧化物薄膜，目全球主要超導(dǎo)量子實驗室均使用該設(shè)備制備超導(dǎo)al結(jié)（量子比特和約瑟夫森結(jié)）和量子器件，可以制備大面積、高度穩(wěn)定性和可重復(fù)性超導(dǎo)結(jié)。
更新時間:2025-01-03
美arradiance 臺式三維原子沉積系統(tǒng)ald，在小巧的機身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可最多容納9片8英寸基片同時沉積。gemstar xt全系配備熱壁，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設(shè)計，使溫度均勻性高達99.9%，氣流對溫度影響減少到0.03%以下。
更新時間:2025-01-03
德國 sentech pe-ald 等離子體增強--原子層沉積系統(tǒng)，是在3d結(jié)構(gòu)上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過在工藝循環(huán)過程中在真空腔室分步加入置物實現(xiàn)。等離子增強原子層沉積（peald）是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強ald性能的先進方法。
更新時間:2025-01-03
德國 sentech si 500 d 等離子沉積機，具有特殊的等離子體特性，如高密度、低離子能量和介質(zhì)膜的低壓沉積。
更新時間:2025-01-03
德國sentech pecvd si 500 ppd等離子沉積機,。它是基于平面電容耦合等離子體源，真空加載鎖定，控溫基片電，可選配低頻混頻，全控無油真空系統(tǒng)采用先進的森泰克控制軟件，采用遠程現(xiàn)場總線技術(shù)，具有非常友好的通用用戶界面用于操作si 500 ppd的用戶界面。
更新時間:2025-01-03
pecvd depolab 200 等離子體沉積機,將平行板等離子體源設(shè)計與直接負載相結(jié)合,可以升為更大的抽油機、低頻電源和額外的燃氣管道。
更新時間:2025-01-03
sentech etchlab200 經(jīng)濟型反應(yīng)離子刻蝕機(可升級)，包括抽速更大的真空單元、預(yù)真空室及附加氣路等。
更新時間:2025-01-03
etchlab 200 rie等離子體蝕刻機是一種將rie平行板電設(shè)計的優(yōu)點與直接負載的低成本設(shè)計相結(jié)合的直接負載等離子體蝕刻機系列。etchlab 200具有簡單快速的樣品加載功能，從零件到200a‰mm或300a‰mm直徑的晶圓片直接加載到電或載體上。
更新時間:2025-01-03
entech rie si591 平板電容式反應(yīng)離子刻蝕機，兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝；小型化和高度模塊化；sentech控制軟件
更新時間:2025-01-03
德國sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機，代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產(chǎn)上的先優(yōu)勢。它以ptsa等離子體源、動態(tài)控溫基片電、全控真空系統(tǒng)、先進的sentech 控制軟件為基礎(chǔ)，采用遠程現(xiàn)場總線技術(shù)，為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是si 500的設(shè)計特點。
更新時間:2025-01-03
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統(tǒng)，感應(yīng)耦合等離子刻蝕機臺，低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕，高速率刻蝕，內(nèi)置icp等離子源，動態(tài)溫控。
更新時間:2025-01-03
ure-2000系列紫外單面光刻機，主要型號有：ure-2000a，ure-2000b，ure-20000/35,ure-20000/35a，ure-2000/25,ure-2000/17.由中國科學(xué)院制造生產(chǎn)。
更新時間:2025-01-03
ure-2000/35 型紫外單面光刻機，中科院設(shè)計生產(chǎn)，曝光面積：4 英寸 ，非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動化程度高）和高校教學(xué)科研 （可靠性好，演示方便） 。
更新時間:2025-01-03
芬蘭 picosun r-200標準型ald,為液體、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。 在最基本的picosun™ r系列配置中可以選擇多個獨立的，完全分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。
更新時間:2025-01-03
德國 picosun p-1000 pro ald 生產(chǎn)型原子層沉積機,156 mm x 156 mm硅片800～1000片/批次（雙面/背對背）,高達400 mm x 600 mm玻璃基板30～50片/批次（雙面/背對背）,(w x h x d) 230 cm x 270 cm x 125 cm,標準設(shè)備驗收標準為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-01-03
picosun p-300 advanced ald 高級型原子層沉積機.156 mm x 156 mm硅片50～100片/批次（雙面/背對背），高達300 mm x 300 mm玻璃基板10～20片/批次（雙面/背對背）；roll-to-roll, 襯底最大寬 300 mm。全自動轉(zhuǎn)載，用工業(yè)機器人實現(xiàn),標準設(shè)備驗收標準為 al2o3 工藝 .
更新時間:2025-01-03
picosun p-300b advanced ald 高級原子沉積機,基片尺寸和類型 300mm晶圓10片/批次（標準間距）,200mm晶圓25+2片/批次（標準間距）,(w x h x d) 149 cm x 191 cm x 111 cm,標準設(shè)備驗收標準為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-01-03
p-300s 生產(chǎn)線型原子層沉積機,最大300mm晶圓/單片,25片晶圓盒對盒式全自動裝載（cassette-to-cassette），用picoplatform™ 300集群系統(tǒng)實現(xiàn),尺寸：(w x h x d) 160 cm x 80 cm x 240 cm
更新時間:2025-01-03
p-300f,p-300bv 生產(chǎn)型原子層沉積機，p-300f pro: 27片晶圓盒對盒式全自動裝載（cassette-to-cassette），用picoplatform™200集群系統(tǒng)實現(xiàn)。p-300bv pro: 52片晶圓盒對盒式全自動裝載，用真空批量load lock實現(xiàn)。
更新時間:2025-01-03
picosun p-200s pro ald 生產(chǎn)型原子層沉積機 ，襯底尺寸和類型： 。50 – 200 mm /單片 。156 mm x 156 mm 太陽能硅片 。150 mm x 150 mm 顯示面板
更新時間:2025-01-03
208hr高分辨離子濺射儀-適用于場發(fā)射掃描電鏡，可選擇多種鍍膜材料，精確的膜厚控制，樣品臺控制靈活，多個樣品座，樣品室?guī)缀慰勺，寬范圍的操作壓力，緊湊、現(xiàn)代的桌上型設(shè)計，操作容易。
更新時間:2025-01-03
oai 6000 fsa 全自動上側(cè)或后側(cè)光刻機,具有完全自動化的亞微米分辨率的頂側(cè)或背側(cè)對齊，提供無與倫比的性價比。
更新時間:2025-01-03
ksi v-quattro四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，四探頭系統(tǒng)，同時使用4只換能器
更新時間:2025-01-03
ksi v-octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，該系統(tǒng)同時使用8只換能器，能最大限度的確？焖賵D像采集和高效能。
更新時間:2025-01-03
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