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電子束刻蝕系統(tǒng)產(chǎn)品及廠家

NRE-4000 (ICPM) 全自動(dòng)ICP刻蝕系統(tǒng)
nre-4000（icpm）icp刻蝕系統(tǒng)概述：是帶icp等離子源和偏壓樣品臺(tái)的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達(dá)到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果。可實(shí)現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕iii-v化合物（如gaas，inp，gan，insb）、ii-vi化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如sio2、si3n4、sic、sige）等。
更新時(shí)間:2025-01-06
NRE-4000 (M) 反應(yīng)離子刻蝕
nre-4000是一款獨(dú)立式rie反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2"的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12”的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì)，并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個(gè)節(jié)流閥,一個(gè)250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過(guò)濾器,以及一個(gè)10cfm的機(jī)械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過(guò)600w,13.56mhz的電源和自動(dòng)調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達(dá)-500v.這對(duì)于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時(shí)間:2025-01-06
NRE-3500 (M) RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
nre-3500（m）rie反應(yīng)離子刻蝕機(jī)概述：獨(dú)立式rie反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2"的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12"的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì)，并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個(gè)節(jié)流閥,一個(gè)250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過(guò)濾器,以及一個(gè)10cfm的機(jī)械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過(guò)600w,13.56mhz的電源和自動(dòng)調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達(dá)-500v.這對(duì)于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時(shí)間:2025-01-06
NRE-3500 (A) 全自動(dòng)RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
nre-3500（a）全自動(dòng)rie反應(yīng)離子刻蝕機(jī)概述：獨(dú)立式rie反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2"的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12"的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì)，并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個(gè)節(jié)流閥,一個(gè)250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過(guò)濾器,以及一個(gè)10cfm的機(jī)械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過(guò)600w,13.56mhz的電源和自動(dòng)調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達(dá)-500v.這對(duì)于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時(shí)間:2025-01-06
NRE-3000 RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
nre-3000rie反應(yīng)離子刻蝕機(jī)概述：獨(dú)立式rie反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2"的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12"的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì)，并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個(gè)節(jié)流閥,一個(gè)250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過(guò)濾器,以及一個(gè)10cfm的機(jī)械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過(guò)600w,13.56mhz的電源和自動(dòng)調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達(dá)-500v.這對(duì)于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時(shí)間:2025-01-06
NPC-4000(M) 等離子刻蝕機(jī)
npc-4000（m）等離子刻蝕機(jī)概述：nano-master 等離子刻蝕和清洗系統(tǒng)是專門(mén)設(shè)計(jì)用來(lái)滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應(yīng)用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設(shè)備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨(dú)一無(wú)二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說(shuō)可以支持各向同性和各向異性的各種應(yīng)用。
更新時(shí)間:2025-01-06
NPC-3500（M）等離子刻蝕機(jī)
npc-3500（m）等離子刻蝕機(jī)概述：nano-master 等離子灰化和清洗系統(tǒng)是專門(mén)設(shè)計(jì)用來(lái)滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應(yīng)用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設(shè)備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨(dú)一無(wú)二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說(shuō)可以支持各向同性和各向異性的各種應(yīng)用
更新時(shí)間:2025-01-06
NPC-3500（A）全自動(dòng)等離子刻蝕機(jī)
npc-3500（a）全自動(dòng)等離子刻蝕機(jī)概述：nano-master 等離子刻蝕和清洗系統(tǒng)是專門(mén)設(shè)計(jì)用來(lái)滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應(yīng)用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設(shè)備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨(dú)一無(wú)二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說(shuō)可以支持各向同性和各向異性的各種應(yīng)用。
更新時(shí)間:2025-01-06
NPC- 3000 等離子刻蝕機(jī)
npc-3000等離子刻蝕機(jī)概述：nano-master 等離子灰化和清洗系統(tǒng)是專門(mén)設(shè)計(jì)用來(lái)滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應(yīng)用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設(shè)備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨(dú)一無(wú)二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說(shuō)可以支持各向同性和各向異性的各種應(yīng)用。
更新時(shí)間:2025-01-06
NIE-4000 (M) IBE離子束刻蝕
nano-master的離子束刻蝕系統(tǒng)具有很強(qiáng)的適應(yīng)性，可根據(jù)不同的應(yīng)用而按不同的配置進(jìn)行建構(gòu)。多樣的樣片夾具和離子源配置可支持用戶不同的應(yīng)用。用于離子束系統(tǒng)（或稱離子銑系統(tǒng)）的樣片夾具可以支持±90°傾斜、旋轉(zhuǎn)、水冷和背氦冷卻。 nano-master技術(shù)已經(jīng)展示了可以把基片文庫(kù)保持在50°c以內(nèi)的能力。通過(guò)傾斜和旋轉(zhuǎn)，可以刻蝕出帶斜坡的槽，并且改善了對(duì)側(cè)壁輪廓和徑向均勻度的控制。
更新時(shí)間:2025-01-06
NIE-4000 (A) 全自動(dòng)IBE離子束刻蝕
nie-4000（a）全自動(dòng)ibe離子束刻蝕產(chǎn)品概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無(wú)法在rie系統(tǒng)中完成。然而通過(guò)加速的ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過(guò)熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。
更新時(shí)間:2025-01-06
NIE-4000 (R) RIBE反應(yīng)離子束刻蝕
nie-4000（r）ribe反應(yīng)離子束刻蝕產(chǎn)品概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無(wú)法在rie系統(tǒng)中完成。然而通過(guò)加速的ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過(guò)熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。
更新時(shí)間:2025-01-06
NIE-3500 (M) IBE離子束刻蝕
nie-3500（m）ibe離子束刻蝕產(chǎn)品概述：該系統(tǒng)為計(jì)算機(jī)全自動(dòng)實(shí)現(xiàn)工藝控制的緊湊型獨(dú)立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強(qiáng)大、自動(dòng)化程度高、模塊化設(shè)計(jì)易于維護(hù)、低成本的優(yōu)勢(shì)。所有核心組件均為國(guó)際知名品牌。
更新時(shí)間:2025-01-06
NIE-3000 IBE離子束刻蝕
nie-3000ibe離子束刻蝕產(chǎn)品概述：該系統(tǒng)為手動(dòng)放片取片，但通過(guò)計(jì)算機(jī)全自動(dòng)實(shí)現(xiàn)工藝控制的臺(tái)式離子束刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強(qiáng)大、自動(dòng)化程度高、模塊化設(shè)計(jì)易于維護(hù)、低成本的優(yōu)勢(shì)。該系統(tǒng)所配套的所有核心組件均為國(guó)際知名品牌。
更新時(shí)間:2025-01-06
NDR-4000 (A) 全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕
ndr-4000（a）全自動(dòng)drie深反應(yīng)離子刻蝕概述：全自動(dòng)上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺(tái)的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8" icp源。系統(tǒng)可以配套500l/s抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達(dá)到幾mtorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。
更新時(shí)間:2025-01-06
NDR-4000 (M) DRIE深反應(yīng)離子刻蝕
ndr-4000（m）drie深反應(yīng)離子刻蝕概述：是帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺(tái)的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8" icp源。系統(tǒng)可以配套500l/s抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達(dá)到幾mtorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。
更新時(shí)間:2025-01-06
NRE-4000 (A) 全自動(dòng)反應(yīng)離子刻蝕
nre-4000是一款獨(dú)立式rie反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2"的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12”的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì)，并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個(gè)節(jié)流閥,一個(gè)250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過(guò)濾器,以及一個(gè)10cfm的機(jī)械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過(guò)600w,13.56mhz的電源和自動(dòng)調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達(dá)-500v.這對(duì)于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時(shí)間:2025-01-06
NPC-4000（A）全自動(dòng)等離子刻蝕機(jī)
npc-4000（a）全自動(dòng)等離子刻蝕機(jī)概述：nano-master 等離子刻蝕和清洗系統(tǒng)是專門(mén)設(shè)計(jì)用來(lái)滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應(yīng)用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設(shè)備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨(dú)一無(wú)二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說(shuō)可以支持各向同性和各向異性的各種應(yīng)用
更新時(shí)間:2025-01-06
NIE-3500 (A) 全自動(dòng)IBE離子束刻蝕
nie-3500（a）全自動(dòng)ibe離子束刻蝕產(chǎn)品概述：該系統(tǒng)為全自動(dòng)上下載片，并且通過(guò)計(jì)算機(jī)全自動(dòng)實(shí)現(xiàn)工藝控制的緊湊型獨(dú)立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強(qiáng)大、自動(dòng)化程度高、模塊化設(shè)計(jì)易于維護(hù)、低成本的優(yōu)勢(shì)。該系統(tǒng)所配套的所有核心組件均為國(guó)際知名品牌。
更新時(shí)間:2025-01-06
NRE-4000 (ICPA) 全自動(dòng)ICP刻蝕系統(tǒng)
nre-4000（icpa）全自動(dòng)icp刻蝕系統(tǒng)概述：自動(dòng)上下載片，是帶icp等離子源和偏壓樣品臺(tái)的高速刻蝕系統(tǒng)，具有高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕能力？蓪(shí)現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕iii-v化合物（如gaas，inp，gan，insb）、ii-vi化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如sio2、si3n4、sic、sige）等。
更新時(shí)間:2025-01-06

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