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硅二管溫度傳感器錦正茂非標(biāo)定制

硅二管溫度傳感器錦正茂非標(biāo)定制推薦激勵(lì)下的功率耗散：20μw@4.2k; 10μw@77k; 6μw@300k；※ bc封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2k, 100ms@77k, 200ms@305k；

價(jià)格：電議 型號(hào)：DT640 所在地：北京北京市

pt100鉑熱電阻薄膜型溫度傳感器低溫測(cè)量

pt100鉑熱電阻薄膜型溫度傳感器低溫測(cè)量磁場(chǎng)影響：不推薦40k以下的磁場(chǎng)環(huán)境中使用

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：北京北京市

Cernox 溫度傳感器低溫溫度計(jì)測(cè)量?jī)x器實(shí)驗(yàn)室低溫

碳陶瓷低溫溫度計(jì)具有優(yōu)越的機(jī)械和熱環(huán)境性能，被廣泛應(yīng)用于整個(gè)工業(yè)研究域。

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：北京北京市

實(shí)驗(yàn)室溫度計(jì) 硅二管溫度傳感器 DT640

實(shí)驗(yàn)室溫度計(jì) 硅二管溫度傳感器 dt640bc封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2k, 100ms@77k, 200ms@305k

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：北京北京市

Cernox 溫度傳感器低溫溫度計(jì)測(cè)量?jī)x器

cernox 溫度傳感器低溫溫度計(jì)測(cè)量?jī)x器傳感器在及其嚴(yán)格的質(zhì)量控制下制造，并在強(qiáng)磁場(chǎng)、中子伽馬輻射、熱循環(huán)和機(jī)械耐久條件下證明長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

價(jià)格：電議 型號(hào)：Cernox 所在地：北京北京市

銠鐵溫度計(jì)低溫溫度傳感器線繞型1.2K ~ 325K溫區(qū)

銠鐵溫度計(jì)低溫溫度傳感器線繞型磁場(chǎng)影響：不推薦77k溫度以下的磁場(chǎng)環(huán)境中使用重復(fù)性：±5mk@77k（通過100次300k到77k的熱沖擊測(cè)試而來）

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：北京北京市

Cernox 溫度傳感器低溫溫度計(jì)測(cè)量?jī)x器

cernox 溫度傳感器低溫溫度計(jì)測(cè)量?jī)x器具有良好的穩(wěn)定性、熱循環(huán)和機(jī)械耐久性。

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：北京北京市

硅二管溫度計(jì)溫度傳感器低溫測(cè)量?jī)x器

硅二管溫度計(jì)溫度傳感器低溫測(cè)量?jī)x器多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝。

價(jià)格：電議 型號(hào)：DT640 所在地：北京北京市

鉑熱電阻低溫溫度計(jì)薄膜型溫度傳感器

※ 40k以上受磁場(chǎng)影響較��； ※ 受電離輻射影響�。� ※ 提供兩點(diǎn)或三點(diǎn)或多點(diǎn)校準(zhǔn)。

價(jià)格：電議 型號(hào)：PT100 所在地：北京北京市

銠鐵低溫溫度計(jì)溫度傳感器低溫測(cè)量抗輻射

銠鐵低溫溫度計(jì)溫度傳感器低溫測(cè)量抗輻射推薦激勵(lì)下的耗散功率：3μw@4.2k，50μw@273k

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：北京北京市

PT100鉑電阻溫度傳感器低溫溫度測(cè)量溫度計(jì)

pt100鉑電阻溫度傳感器低溫溫度測(cè)量溫度計(jì)錦正茂提供的薄膜型鉑電阻，尺寸更小，響應(yīng)時(shí)間更短，應(yīng)用場(chǎng)合更加廣泛。

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：北京北京市

BC型裸片硅二管溫度計(jì)低溫溫度傳感器

bc型裸片硅二管溫度計(jì)低溫溫度傳感器激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；在寬溫度范圍1.4k-500k內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度。

價(jià)格：電議 型號(hào)：DT640 所在地：北京北京市