光學(xué)平臺(tái)產(chǎn)品及廠家
芬蘭picosun™ r-200高級(jí)型 ald，襯底尺寸和類型 ： 。50-200 mm /單片 。156 mm x 156 mm太陽(yáng)能硅片 。3d復(fù)雜表面襯底 。粉末與顆粒 。roll-to-roll , 襯底最大寬 70 mm 。多孔，通孔，高深寬比（har）樣品
更新時(shí)間:2025-01-08
picosun™ r-200標(biāo)準(zhǔn)型原子層沉積機(jī)，picosun™ r系列設(shè)備提供高質(zhì)量ald薄膜的沉積技術(shù)，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)極佳的均勻性，包括最具挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。 我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級(jí)的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長(zhǎng)顆粒度最小的薄膜層。
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plasmapro 80 rie 牛津等離子體刻蝕機(jī),是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過(guò)優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。
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plasmapro 80 rie 牛津等離子體刻蝕機(jī),是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過(guò)優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。
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plasmapro 80 icpcvd 牛津icp等離子沉積機(jī)，是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝性能。直開式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸，是科學(xué)研究、原型設(shè)計(jì)和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過(guò)優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能工藝。
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牛津oxford system 100 等離子刻蝕與沉積設(shè)備,該設(shè)備是一個(gè)靈活和功能強(qiáng)大的等離子體刻蝕和淀積工藝設(shè)備,具有工藝靈活性，適用于化合物半導(dǎo)體，光電子學(xué)，光子學(xué)，微機(jī)電系統(tǒng)和微流體技術(shù).
更新時(shí)間:2025-01-08
plasmapro 80 icp 英國(guó)牛津oxford 等離子體刻蝕機(jī),是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小型且使用方便的直開式系統(tǒng)，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質(zhì)量。直開式設(shè)計(jì)允許快速的進(jìn)行晶圓裝卸，是科學(xué)研究、原型設(shè)計(jì)和少量生產(chǎn)的理想選擇。 該設(shè)備通過(guò)優(yōu)化了的電冷卻技術(shù)和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高度穩(wěn)定的工藝結(jié)果。
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牛津opal開放式樣品載入ald設(shè)備，緊湊型開放式樣品載入原子層沉積（ald）系統(tǒng)，opal提供了業(yè)的熱ald設(shè)備，可以簡(jiǎn)單明了的升使用等離子體，使得在同一緊湊設(shè)備中集成了等離子體和熱ald。
更新時(shí)間:2025-01-08
已獲得利的高速襯底架（高達(dá)1000rpm）設(shè)計(jì)，并配備了白光光學(xué)監(jiān)視器（wlom）——更為準(zhǔn)確的實(shí)時(shí)光學(xué)薄膜控制
更新時(shí)間:2025-01-08
plasmapro 100 estrelas牛津深硅刻蝕系統(tǒng)，旨在提供深硅蝕刻（dsie）域的全方位的靈活性以滿足微電子機(jī)械系統(tǒng)（mems）、 先進(jìn)封裝以及納米技術(shù)市場(chǎng)的各種工藝要求。考慮到研究和生產(chǎn)的市場(chǎng)發(fā)展，plasmapro 100 estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性。
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plasmapro 100 ale 牛津原子層刻蝕機(jī)，市場(chǎng)應(yīng)用廣，包括但不限于： mems和傳感器、光電子、分立元器件和納米技術(shù)。它具有足夠的靈活性，可用于研究和開發(fā)，通過(guò)打造質(zhì)量滿足生產(chǎn)需求。
更新時(shí)間:2025-01-08
英國(guó)hhv auto500 gb 適合手套箱集成的真空鍍膜系統(tǒng)，是門設(shè)計(jì)用于手套箱集成使用的鍍膜設(shè)備，滿足氧氣或水汽敏感的材料鍍膜的應(yīng)用要求。該系統(tǒng)配了一個(gè)特殊結(jié)構(gòu)的真空腔室，可直接與市場(chǎng)上大多數(shù)手套箱集成到一起。真空腔室的門可豎直滑動(dòng)開關(guān)，嵌入手套箱內(nèi)，并占用很少的手套箱空間；其后門是鉸鏈扇式開關(guān)，能在不影響手套箱內(nèi)氣氛的情況下輕松維護(hù)腔室內(nèi)工藝組件。
更新時(shí)間:2025-01-08
英國(guó)hhv auto 306 科研工作者和電子顯微學(xué)家的多功能鍍膜設(shè)備，是一種多功能的緊湊型鍍膜設(shè)備，設(shè)計(jì)用于滿足科研工作者和電子顯微學(xué)家的需求。auto306可配備各種真空系統(tǒng)、真空腔室和標(biāo)準(zhǔn)化工藝附件，提供一系列實(shí)驗(yàn)技術(shù)以滿足現(xiàn)代化實(shí)驗(yàn)室的需要。
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tf500/tf600 適合先進(jìn)研發(fā)和試生產(chǎn)的全功能系統(tǒng)，系統(tǒng)配置可選擇多種腔室尺寸和工藝附件，以精確的符合用戶需求。這兩個(gè)型號(hào)的系統(tǒng)都可以安裝多個(gè)鍍膜源，也都支持離子束處理選項(xiàng)。有一系列預(yù)進(jìn)樣室（load lock）和樣品操縱裝置可供選擇，以提高真空鍍膜效率。
更新時(shí)間:2025-01-08
ion 100wb-40q 德國(guó) pva tepla 等離子去膠機(jī)，最新推出的具有高性價(jià)比的真空等離子去膠設(shè)備，配備了一個(gè)圓筒石英腔，特別適用于半導(dǎo)體、led、mems等領(lǐng)域的光刻膠灰化、打殘膠、氮化物刻蝕、表面清潔等應(yīng)用的批次處理。
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208hr高分辨離子濺射儀-適用于場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡，可選擇多種鍍膜材料，精確的膜厚控制，樣品臺(tái)控制靈活，多個(gè)樣品座，樣品室?guī)缀慰勺儯瑢挿秶牟僮鲏毫，緊湊、現(xiàn)代的桌上型設(shè)計(jì)，操作容易。
更新時(shí)間:2025-01-08
oai 6000 fsa 全自動(dòng)上側(cè)或后側(cè)光刻機(jī),具有完全自動(dòng)化的亞微米分辨率的頂側(cè)或背側(cè)對(duì)齊，提供無(wú)與倫比的性價(jià)比。
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ksi v-quattro四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，四探頭系統(tǒng)，同時(shí)使用4只換能器
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ksi v-octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，該系統(tǒng)同時(shí)使用8只換能器，能最大限度的確？焖賵D像采集和高效能。
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ksi v1000e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡，用于研發(fā)和生產(chǎn)部門檢測(cè)特大件樣品
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ksi v400e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡，是實(shí)驗(yàn)室、研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)線主流機(jī)型。
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hysitron ti 980 納米壓痕儀bruker hysitron ti 980 triboindenter 加速納米力學(xué)研究進(jìn)入更高階段,同時(shí)具有高的性能、靈活性、可信度、實(shí)用性和速度；诤Ｋ紕(chuàng)幾十年的技術(shù)創(chuàng)新，它為納米力學(xué)表征帶來(lái)了高水平的性能、功能和易用性。ti 980達(dá)到了臺(tái)優(yōu)異納米力學(xué)測(cè)試儀
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echo pro 全自動(dòng)超聲波掃描顯微鏡美 sonix 全自動(dòng)超聲波掃描顯微鏡echo pro , 批量 tray盤和框架直接掃瞄, 編程自動(dòng)判別缺陷, 高產(chǎn)量,無(wú)需人員重復(fù)設(shè)置, 自動(dòng)烘干.
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日本elionix 微細(xì)加式電子束曝光電子束直寫機(jī)els-f125，是elionix推出的上臺(tái)加速電壓達(dá)125kv的電子束曝光系統(tǒng)，其可加工線寬下限為5nm的精細(xì)圖形。
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日本elionix 超高精密電子束光刻系統(tǒng) els-f150, 是上第 個(gè)150千伏電子束光刻系統(tǒng)。支持單位納米用于高研究的設(shè)備制造。
更新時(shí)間:2025-01-08
日本電子 jsm-7610fplus，用于納米科學(xué)的肖特基場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡， 是款采用半浸沒式物鏡、擁有超高分辨率的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯heidelberg 海德堡 μmla桌面無(wú)掩模光刻機(jī)
更新時(shí)間:2025-01-08
dwl 66+激光光刻系統(tǒng)是具經(jīng)濟(jì)效益的高分辨率圖像產(chǎn)生器, 具有多種直寫模塊，實(shí)現(xiàn)不同精度直寫需求, 能于結(jié)構(gòu)上進(jìn)行灰度曝光
更新時(shí)間:2025-01-08
德國(guó)海德堡 heidelberg 激光直寫光刻機(jī) mla150,德國(guó)高精密激光直寫繪圖機(jī),非接觸式曝光,可支持高效數(shù)位光刻與灰度光刻.
更新時(shí)間:2025-01-08
octoplus 500 mbe系統(tǒng)是為了在6英寸襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的iii/v族或者ii-vi族異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料而研發(fā)業(yè)分子束外延系統(tǒng)。樣品臺(tái)選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。標(biāo)準(zhǔn)的octoplus 500有11個(gè)呈放射狀分布的源孔，可以根據(jù)需要增選3個(gè)源孔。
更新時(shí)間:2025-01-08
德國(guó)leica em txp全新精研一體機(jī)，是一款獨(dú)特的可對(duì)目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行精確定位的表面處理工具，特別適合于sem，tem及l(fā)m觀察之對(duì)樣品進(jìn)行切割、拋光等系列處理。它尤其適合于制備高難度樣品，如需要對(duì)目標(biāo)精細(xì)定位或需對(duì)肉眼難以觀察的微小目標(biāo)進(jìn)行定點(diǎn)處理。
更新時(shí)間:2025-01-08
keyence 基恩士 形狀測(cè)量激光顯微系統(tǒng)全新 vk-x3000，納米 / 微米 / 毫米，一臺(tái)即可完成測(cè)量。292 種分析工具，一臺(tái)即可了解希望獲取的信息。一臺(tái)即包含了光學(xué)顯微鏡，臺(tái)階儀，光學(xué)輪廓儀，及電鏡功能。
更新時(shí)間:2025-01-08
奧地利smartnil紫外納米壓。篹vg7200，leds 制作，led pss納米壓印工藝，led納米透鏡陣列；微流體學(xué)；芯片實(shí)驗(yàn)室；抗反射層； 納米壓印光柵； 蓮花效應(yīng)；光子帶隙；光學(xué)及通訊：光晶體，激光器件；生物技術(shù)解決方案：醫(yī)藥分析，血液分析，細(xì)胞生長(zhǎng)。
更新時(shí)間:2025-01-08
evg610是一款非常靈活的適用于研發(fā)和小批量試產(chǎn)的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，可處理大200mm之內(nèi)的各種規(guī)格的晶片。evg610支持各種標(biāo)準(zhǔn)的光刻工藝，例如：真空、軟、硬接觸和接近曝光；也支持其他特殊的應(yīng)用，如鍵合對(duì)準(zhǔn)、納米壓印光刻、微接觸印刷等。系統(tǒng)中的工具更換非常簡(jiǎn)便快捷，每次更換都可在一分鐘之內(nèi)完成，而不需要門的工程人員和培訓(xùn)，非常適合大學(xué)、研究所的科研實(shí)驗(yàn)和小批量生產(chǎn)。
更新時(shí)間:2025-01-08
奧地利evg鍵合機(jī)：evg510，是一款半自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理大200mm的晶圓，非常適合于研發(fā)和小批量生產(chǎn)。evg510提供了除上料和下料外的全自動(dòng)工藝處理過(guò)程，并配備了業(yè)界公認(rèn)的優(yōu)異的加熱和壓力均勻性系統(tǒng)。evg510模塊化的鍵合腔室設(shè)計(jì)可用于150mm或200mm晶圓鍵合，并且其工藝菜單與evg其他更高系列的鍵合機(jī)相匹配，可以方便的實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)線到量產(chǎn)線的工藝復(fù)制。
更新時(shí)間:2025-01-08
evg520is是一款設(shè)計(jì)用于小批量生產(chǎn)的半自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)， 大硅片允許尺寸為200mm。集evg新技術(shù)及客戶反饋基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)的evg520is，配備了evg公司的利吸盤設(shè)計(jì)---這種吸盤可以提供對(duì)稱的快速加熱和冷卻功能。evg520is的很多優(yōu)勢(shì)特性，如獨(dú)立的上下盤加熱和高壓鍵合工藝、高度的材料和工藝靈活性等，都幫助客戶很好的實(shí)施鍵合研究和生產(chǎn)。
更新時(shí)間:2025-01-08
evg620 單面/雙面光刻機(jī)(帶有壓印功能），evg620 是一款非常靈活和可靠的光刻設(shè)備，可配置為半自動(dòng)也可以為全自動(dòng)形式。evg620 既可以用作雙面光刻機(jī)也可以用作 150mm 硅片的精確對(duì)準(zhǔn)設(shè)備；既可以用作研發(fā)設(shè)備，也可以用作量產(chǎn)設(shè)備。精密的契型補(bǔ)償
更新時(shí)間:2025-01-08
ne-550z是高真空l(shuí)oad-lock式干法等離子刻蝕裝置，適用于半導(dǎo)體材料、金屬材料等的精細(xì)刻蝕
更新時(shí)間:2025-01-08
返回式真空濺射裝置 cs-200z，高真空交直流濺射設(shè)備.適用于金屬、合金 、陶瓷材料的高品質(zhì)濺射成膜.
更新時(shí)間:2025-01-08
美國(guó)neocera 脈沖激光沉積系統(tǒng)pioneer 180-2-pld,一種用途廣泛的、用于薄膜沉積以及納米結(jié)構(gòu)和納米粒子合成的方法
更新時(shí)間:2025-01-08
2英寸氮化鎵自支撐晶片, 10×10.5mm²氮化鎵自支撐晶片, 非性/半性氮化鎵自支撐晶片, 4英寸氮化鎵厚膜晶片, 2英寸氮化鋁厚膜晶片, 2英寸氮化鎵厚膜晶片
更新時(shí)間:2025-01-08
法國(guó)annealsys 高溫退火爐as-one, 多用途快速熱處理設(shè)備，適用于硅，化合物半導(dǎo)體，太陽(yáng)能電池& mems.
更新時(shí)間:2025-01-08
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀ks-19f,寬廣的測(cè)試范圍，可測(cè)試 0.03~0.13um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。octoplus 400 是一款通用型mbe系統(tǒng)，非常適合于iii/v族， ii/vi族，及其他復(fù)合半導(dǎo)體材料應(yīng)用。兼容2-4英寸標(biāo)準(zhǔn)晶片。豎直分割式腔體設(shè)計(jì)，可以裝配各種源爐，實(shí)現(xiàn)不同材料分子束外延生長(zhǎng)。
更新時(shí)間:2025-01-08
德國(guó)unitemp真空快速退火爐rtp-150, 單晶圓，150mm，快升溫速率可達(dá)150k/s
更新時(shí)間:2025-01-08
evg的hercules nil 300 mm是一個(gè)完全集成的納米壓印系統(tǒng)，是evg的nil產(chǎn)品組合的新成員。 hercules nil基于模塊化平臺(tái)，在單個(gè)平臺(tái)上將清洗模塊，抗蝕劑涂層模塊和烘烤預(yù)處理模塊與evg的有smartnil大面積納米壓印（nil）模塊結(jié)合在一起，用于直徑大為300 mm的晶片。
更新時(shí)間:2025-01-08
evg720紫外納米壓印用于從印章到襯底的紫外圖形轉(zhuǎn)移。evg720自動(dòng)納米壓印系統(tǒng)允許襯底和印章的尺寸從很小的芯片到150mm直徑的圓片范圍。
更新時(shí)間:2025-01-08
液體光學(xué)顆粒度儀 ks-42c，寬廣的測(cè)試范圍，可測(cè)試 0.5~20um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準(zhǔn)的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2025-01-08
美國(guó) lakeshore 振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì) 8600系列：model 8604, model 8607, 更科學(xué)，更高效
更新時(shí)間:2025-01-08
最新產(chǎn)品
- Graphene Sheet 2025/1/8 22:56:48
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- Iron Oxide (Fe2O3) Nanopowder 2025/1/8 22:48:49
- Niobium Diselenide (NbSe2) Powder and Crystals 2025/1/8 22:44:28
- Nitrogen-doped Graphene Oxide Powders 2025/1/8 22:40:33
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- Reduced Graphene Oxide Powders 2025/1/8 22:33:35
- Single-Walled Carbon Nanotubes (SWCNT) 2025/1/8 22:30:04
- Multi-Walled Carbon Nanotubes (MWCNT) 2025/1/8 22:26:32
- Iron Oxide (Fe3O4) Nanopowder 2025/1/8 22:22:21
- Graphite Powder 2025/1/8 22:19:05
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- Lithium Nickel Cobalt Aluminum Oxide (NCA) Powder 2025/1/8 22:08:23
- Lithium Nickel Manganese Oxide (LNMO) Powder 2025/1/8 22:03:46
- Nickel (II) Oxide Powder 2025/1/8 22:01:09
- Lithium Nickel Manganese Cobalt Oxide Powder (NCM523) 2025/1/8 21:57:51
- Lithium Cobalt Oxide (LiCoO2) Powder 2025/1/8 21:49:33
- Lithium Manganese Oxide (LMO) Powder 2025/1/8 21:44:22
- Lithium Nickel Manganese Cobalt Oxide (NMC811) Powder 2025/1/8 21:39:25
- Lithium Iron Phosphate (LiFePO4) Powder 2025/1/8 21:36:31
- F 100T PEDOT:PSS 2025/1/8 21:29:53
- P JET (OLED) PEDOT:PSS 2025/1/8 21:26:11
- F ET PEDOT:PSS 2025/1/8 21:21:59
- P T4 PEDOT:PSS 2025/1/8 21:18:18
- HTL Solar 4 PEDOT Complex 2025/1/8 21:14:43
- 扭力扭轉(zhuǎn)強(qiáng)度測(cè)試機(jī) 2025/1/8 21:13:54
- HY E PEDOT:PSS - AgNW/PEDOT:PSS 2025/1/8 21:11:11
- HIL 8 PEDOT Complex 2025/1/8 21:09:07
- HTL Solar PEDOT:PSS 2025/1/8 21:02:26
- F HC Solar PEDOT:PSS 2025/1/8 20:59:25